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臺(tái)灣連接器企業(yè)主推LED照明及車(chē)用電子
臺(tái)灣連接器市場(chǎng)受惠于臺(tái)灣像是PC、NB、監(jiān)視器、主機(jī)板或安全監(jiān)控系統(tǒng)等產(chǎn)業(yè)規(guī)模的興盛，連帶的讓臺(tái)灣連接器產(chǎn)業(yè)的總體產(chǎn)值推升到全球第3大，同時(shí)每年的年增長(zhǎng)率也都優(yōu)于全球連接器產(chǎn)業(yè)的平均水準(zhǔn)。
2009-10-13
臺(tái)灣 連接器 LED照明 車(chē)用電子
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太陽(yáng)能未來(lái)3年重啟成長(zhǎng)動(dòng)能
2008年全球太陽(yáng)能裝置量約5.6GW。預(yù)估到2010年，全球太陽(yáng)能裝置量約8.5GW，整體亞洲市場(chǎng)由2008年的5%成長(zhǎng)到20%。摩根士丹利亞洲科技產(chǎn)業(yè)研究主管暨董事總經(jīng)理古塔預(yù)測(cè)隨著潛在供給同步成長(zhǎng)，到2013年以前持續(xù)供過(guò)于求。
2009-10-13
摩根士丹利 太陽(yáng)能
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2920A型:吉時(shí)利發(fā)布射頻矢量信號(hào)發(fā)生器
先進(jìn)電子測(cè)試儀器與系統(tǒng)的世界級(jí)領(lǐng)導(dǎo)者吉時(shí)利儀器公司（NYSE：KEI），今天宣布對(duì)其流行的射頻矢量信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)品線(xiàn)進(jìn)行功能升級(jí)，降低了信號(hào)產(chǎn)生的時(shí)間并增強(qiáng)了信號(hào)質(zhì)量。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的信號(hào)發(fā)生器往往需要用戶(hù)不得不在最佳的信號(hào)質(zhì)量和最大的測(cè)試吞吐量方面進(jìn)行權(quán)衡，而吉時(shí)利新款2920A型信號(hào)發(fā)生器在...
2009-10-12
吉時(shí)利 射頻 矢量信號(hào) 發(fā)生器
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iSuppli中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)今年下滑6.8% 2010年將大幅成長(zhǎng)17.8%
2009 年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)為682億美元，較去年下滑6.8%。相對(duì)于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的萎縮，中國(guó)市場(chǎng)的下滑要小的多。受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，全球電子產(chǎn)品的產(chǎn)值為1.4萬(wàn)億美元較2008年下降了9%。與此同時(shí)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)2009年將下降16.2%到2295億美元。但是在出口增長(zhǎng)和內(nèi)需拉到的雙重作用下，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)在2...
2009-10-12
半導(dǎo)體 iSuppli
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電子元器件在電路仿真中的建模
計(jì)算機(jī)仿真具有效率高、精度高、可靠性高和成本低等特點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于電力電子電路(或系統(tǒng))的分析和設(shè)計(jì)。目前各種仿真工具中都自帶很多常用的元器件模型，但是自帶模型庫(kù)永遠(yuǎn)跟不上電子元器件的更新速度。這里針對(duì)建模的重要性和必要性，研究當(dāng)前流行的電子電路仿真工具的電子元器件模型，提出...
2009-10-12
計(jì)算機(jī)仿真 建模的 參數(shù)建模法 子電路建模法
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FSSD06 /FSSD07 :飛兆半導(dǎo)體推出通信功能的存儲(chǔ)器開(kāi)關(guān)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和便攜應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供兩款存儲(chǔ)器開(kāi)關(guān)產(chǎn)品 FSSD06 和 FSSD07 ，擴(kuò)展了普通處理器至安全數(shù)字(SD)、安全數(shù)字I/O (SDIO) 和多媒體卡 (MMC)等外設(shè)的通信功能。
2009-10-12
FSSD06 FSSD07 開(kāi)關(guān) 便攜應(yīng)用 手機(jī)
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FDFME3N311ZT：飛兆半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)高效率的升壓開(kāi)關(guān)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開(kāi)關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench? MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設(shè)計(jì)的效率。
2009-10-12
FDFME3N311ZT MOSFET 飛兆半導(dǎo)體
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增強(qiáng)型VTAZ系列:Vishay推出超高精度Bulk Metal? Z箔軸向電阻
Vishay推出增強(qiáng)型VTAZ系列超高精度Bulk Metal? Z箔軸向電阻,該電阻的改進(jìn)可直接替代所有領(lǐng)域的線(xiàn)繞電阻，在精度和穩(wěn)定性方面可直接替代薄膜電阻。
2009-10-12
Vishay VTAZ Bulk Metal 軸向電阻
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293D系列/TR3:Vishay發(fā)布新款63V固鉭貼片電容器
Hi-Rel COTS的T83、低ESR 的TR3和標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)級(jí)的293D固鉭貼片電容器的額定電壓提高至63V，并可滿(mǎn)足+28V電源的降額要求
2009-10-12
Vishay T83 TR3 固鉭貼片
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