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Vishay兩大產(chǎn)品份額全球第一：200V以下MOSFET和精密電阻
Vishay是全球分立半導(dǎo)體和無源電子元件的最大制造商之一，在200V以下MOSFET和精密電阻供應(yīng)市場份額全球第一。為了幫助讀者更深地了解Vishay目前的市場競爭優(yōu)勢、未來的產(chǎn)品創(chuàng)新方向及其“一站式”發(fā)展收購戰(zhàn)略，本刊特別采訪了Vishay兩位高管盧志強(qiáng)和楊益彰。
2012-04-18
Vishay MOSFET 精密電阻
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更高效率更省空間 飛兆發(fā)布FDMF68xx Gen III XS DrMOS系列
飛兆開發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊(MCM)系列。FDMF68xx系列經(jīng)設(shè)計能夠降低輸出感量和減少輸出電容器數(shù)目，與普通分立器件解決方案相比，該系列能夠節(jié)省多達(dá)50%的線路板空間，并提高效率，滿足新能源標(biāo)準(zhǔn)要求。
2012-04-18
飛兆半導(dǎo)體 Generation III XS? DrMOS
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韓國電子展10月開幕 主辦方來深招商
近日，記者從在深圳華強(qiáng)北召開的2012韓國電子展新聞發(fā)布會上獲悉，作為亞洲五大電子展之一的第43屆韓國電子展將于10月9日起至12日，在韓國國際展覽中心（KINTEX）舉辦。
2012-04-18
韓國 電子展
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韓國電子產(chǎn)業(yè)大展深圳新聞發(fā)布會報道資料
去年，韓國電子展以‘Be Smart’為主題開展，雖然由歐洲發(fā)起經(jīng)濟(jì)停滯現(xiàn)象，但還是有比前年增加5%的800多家企業(yè)參加，設(shè)立了2,300個展位，包括邀請的中國、美國、印度尼西亞、俄羅斯、西班牙等330多名客商，共有17個國家的2,000多名海外客商訪問。
2012-04-18
韓國 電子產(chǎn)業(yè) 展會
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LPS1100：Vishay小尺寸封裝功率厚膜電阻可提供1100W功率
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻--- LPS1100，可在散熱器溫度為+25℃的條件下提供1100W的額定功率。LPS1100具有高溫降額性能和很寬的阻值范圍。
2012-04-18
LPS1100 Vishay 厚膜電阻
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FM31L278:Ramtron提升cab Produkttechnik熱敏打印機(jī)性能
世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)和德國cab Produkttechnik GmbH & Co KG公布，Ramtron FM31L278 F-RAM處理器伴侶為cab最新EOS熱敏標(biāo)簽打印機(jī)系列的用戶帶來卓越優(yōu)勢。
2012-04-18
FM31L278 Ramtron cab Produkttechnik 熱敏打印機(jī)
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AUIRGDC0250：IR推出優(yōu)化的車用1200V IGBT
國際整流器公司IR推出為軟開關(guān)應(yīng)用，比如電動車和混合動力汽車中的正溫度系數(shù)（PTC）加熱器應(yīng)用而優(yōu)化的車用 IGBT AUIRGDC0250。1200V AUIRGDC0250 采用緊湊的 Super TO-220 封裝，低 VCE(on) 可讓該器件降低功耗并實現(xiàn)更高的功率密度。
2012-04-18
IR IGBT AUIRGDC0250 車用軟開關(guān)應(yīng)用
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Q1電子行業(yè)電商交易指數(shù)：半導(dǎo)體器件成熱門
人們在享受的科技生活千變?nèi)f化著，電子產(chǎn)品不斷的更新?lián)Q代，讓消費者像一個被牽著線不斷向上飛的風(fēng)箏時時刻刻被商家越拽越高，牽線的人跑的很累，而消費者也隨著商家飛著累?！笆濉笔请娮赢a(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要時期，而2011年整個電子行業(yè)市場經(jīng)歷了風(fēng)雨交加一路上的顛簸，從一些電子巨頭企業(yè)發(fā)布的財報...
2012-04-18
Q1 電子行業(yè) 半導(dǎo)體器件
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MB86L13A：富士通半導(dǎo)體推出收發(fā)器家族LTE優(yōu)化多頻單芯片
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司近日宣布推出MB86L13A LTE（FDD和TDD）優(yōu)化收發(fā)器。該全新收發(fā)器為面向LTE專向應(yīng)用開發(fā)，采用富士通開拓的RFIC設(shè)計架構(gòu)，無需外部的低噪聲放大器（LNAs）和級間聲表面波（SAW）濾波器，可覆蓋700 MHz～2700 MHz的頻譜。該全新設(shè)備與上個月發(fā)布的MB86L11A 2G/3G/4G多模...
2012-04-18
MB86L13A 富士通半導(dǎo)體 多頻單芯片
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