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便攜產(chǎn)品的“里程碑”式創(chuàng)新：內(nèi)置式微型投影儀
隨著數(shù)碼相機取代傳統(tǒng)膠卷相機，以及圖像傳感器幾乎已成為各種手機的標(biāo)準(zhǔn)配置，個人數(shù)碼內(nèi)容呈現(xiàn)爆炸性增長，尤其是數(shù)碼相片。這促使消費者越來越渴望分享這些內(nèi)容，導(dǎo)致Facebook等互聯(lián)網(wǎng)共享工具不斷成長。
2009-09-04
數(shù)碼相機 膠卷相機 圖像傳感器
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上網(wǎng)本市場——山寨的消亡之地
由于沒有在一流公司的磨練，經(jīng)驗積累不夠，加上測試設(shè)備很少，這些三流公司出來的研發(fā)人員只能夠搞出四流的產(chǎn)品，通常是大問題沒有，但小問題一堆，對于很多小問題他們根本不懂和沒有概念。在上網(wǎng)本市場，山寨不會起來，不會有太多量的，山寨永遠沒有機會
2009-09-04
市場與策略 計算機與OA
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上網(wǎng)本市場——山寨的消亡之地
由于沒有在一流公司的磨練，經(jīng)驗積累不夠，加上測試設(shè)備很少，這些三流公司出來的研發(fā)人員只能夠搞出四流的產(chǎn)品，通常是大問題沒有，但小問題一堆，對于很多小問題他們根本不懂和沒有概念。在上網(wǎng)本市場，山寨不會起來，不會有太多量的，山寨永遠沒有機會
2009-09-04
市場與策略 計算機與OA
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上網(wǎng)本市場——山寨的消亡之地
由于沒有在一流公司的磨練，經(jīng)驗積累不夠，加上測試設(shè)備很少，這些三流公司出來的研發(fā)人員只能夠搞出四流的產(chǎn)品，通常是大問題沒有，但小問題一堆，對于很多小問題他們根本不懂和沒有概念。在上網(wǎng)本市場，山寨不會起來，不會有太多量的，山寨永遠沒有機會
2009-09-04
市場與策略 計算機與OA
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科學(xué)家發(fā)明出制造低成本CIGS太陽能電池的新技術(shù)
盡管目前業(yè)界的太陽能板仍以結(jié)晶硅材料占主導(dǎo)的地位，其它材料的制造成本相對而言仍嫌貴了些。新進的廠商希望吸收能量的材料能被銅銦鎵硒 (Copper Indium Gallium Sselenide，簡稱CIGS)或其相關(guān)的材料所取代，銅銦鎵硒電池具有高轉(zhuǎn)換效率的潛力，可以實現(xiàn)低成本的制造。
2009-09-04
低成本 CIGS 太陽能電池
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科學(xué)家發(fā)明出制造低成本CIGS太陽能電池的新技術(shù)
盡管目前業(yè)界的太陽能板仍以結(jié)晶硅材料占主導(dǎo)的地位，其它材料的制造成本相對而言仍嫌貴了些。新進的廠商希望吸收能量的材料能被銅銦鎵硒 (Copper Indium Gallium Sselenide，簡稱CIGS)或其相關(guān)的材料所取代，銅銦鎵硒電池具有高轉(zhuǎn)換效率的潛力，可以實現(xiàn)低成本的制造。
2009-09-04
低成本 CIGS 太陽能電池
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科學(xué)家發(fā)明出制造低成本CIGS太陽能電池的新技術(shù)
盡管目前業(yè)界的太陽能板仍以結(jié)晶硅材料占主導(dǎo)的地位，其它材料的制造成本相對而言仍嫌貴了些。新進的廠商希望吸收能量的材料能被銅銦鎵硒 (Copper Indium Gallium Sselenide，簡稱CIGS)或其相關(guān)的材料所取代，銅銦鎵硒電池具有高轉(zhuǎn)換效率的潛力，可以實現(xiàn)低成本的制造。
2009-09-04
低成本 CIGS 太陽能電池
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SiC功率半導(dǎo)體——節(jié)能王牌面臨高溫安裝難題
作為實現(xiàn)逆變器等功率變換器低成本化、小型化的器件，SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體備受關(guān)注。在空調(diào)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)、混合動力車/電動汽車中的應(yīng)用也都在研究之中。但橫濱高度實裝技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟(YJC)理事宮代文夫指出，SiC功率器件要想實現(xiàn)普及，“還需要確立能夠高溫工作、可靠性較高的安裝技術(shù)”。
2009-09-04
SiC 功率半導(dǎo)體
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SiC功率半導(dǎo)體——節(jié)能王牌面臨高溫安裝難題
作為實現(xiàn)逆變器等功率變換器低成本化、小型化的器件，SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體備受關(guān)注。在空調(diào)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)、混合動力車/電動汽車中的應(yīng)用也都在研究之中。但橫濱高度實裝技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟(YJC)理事宮代文夫指出，SiC功率器件要想實現(xiàn)普及，“還需要確立能夠高溫工作、可靠性較高的安裝技術(shù)”。
2009-09-04
SiC 功率半導(dǎo)體
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