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LED TV背光滲透率2011或僅41.6%
據(jù)外媒報(bào)道，據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 WitsView 對(duì)于LED背光產(chǎn)品的觀察，2011年初，LED機(jī)種在背光設(shè)計(jì)上透過燈條數(shù)量的減少，讓LED與 CCFL 機(jī)種的背光成本差距進(jìn)一步縮小，因此廠商對(duì)于LED機(jī)種的滲透率寄予厚望，年初時(shí)普遍樂觀上看50%~60%。
2011-12-22
LED CCFL 顯示器 背光滲透率
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平板電腦追捧降溫 或蹈上網(wǎng)本覆轍
據(jù)國內(nèi)知名調(diào)研機(jī)構(gòu)易觀智庫的最新數(shù)據(jù)顯示，今年三季度，國內(nèi)平板電腦銷量環(huán)比下降8.6%。從傳統(tǒng)PC到筆記本，再從超便攜筆記本到上網(wǎng)本，如今，剛剛風(fēng)靡不到一年的平板電腦似乎正成為電腦產(chǎn)品發(fā)展史上的又一個(gè)過渡品。
2011-12-22
平板電腦 3G 電子產(chǎn)品 iPad
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2016年近五成智能機(jī)售價(jià)300美元以下
報(bào)告顯示，預(yù)估2011年全球 LTE 用戶將達(dá)到700萬戶，至2015年，在歐美推動(dòng)的FDD-LTE及中國、印度等國推動(dòng)的TDD-LTE趨勢(shì)下，將推升整體LTE用戶成長至2.4億規(guī)模，占全球行動(dòng)用戶比重約3.3%。2012年預(yù)估300美元以下中低階產(chǎn)品約占Smartphone銷售比重的17%。
2011-12-22
智能機(jī) LTE WiFi
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射頻輻射電磁場抗擾度試驗(yàn)
在新版標(biāo)準(zhǔn)里對(duì)試驗(yàn)的嚴(yán)酷等級(jí)分為一般試驗(yàn)等級(jí)和針對(duì)數(shù)字無線電話的射頻輻射而設(shè)定的試驗(yàn)等級(jí)。
2011-12-22
射頻輻射 射頻輻射電磁場抗擾度 抗干擾度標(biāo)準(zhǔn)
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威世Power Metal Strip儀表分流電阻獲電子產(chǎn)品世界“2011編輯推薦”獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的WSMS2908 Power Metal Strip?儀表分流電阻榮獲《電子產(chǎn)品世界》(EEPW)的“2011編輯推薦”獎(jiǎng)，該雜志是中國重要的專業(yè)類刊物。
2011-12-22
儀表分流電阻 Vishay Power Metal Strip
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靜電放電抗擾度試驗(yàn)
關(guān)于不接地設(shè)備的試驗(yàn)配置，新版標(biāo)準(zhǔn)與舊版標(biāo)準(zhǔn)的配置是相同的。關(guān)鍵是在單次放電時(shí)（無論是空氣的，還是接觸的），試品上的電荷應(yīng)當(dāng)在每次施加靜電放電脈沖之前先行釋放（釋放掉在需要施加靜電放電的金屬點(diǎn)或金屬部位上的電荷）。
2011-12-22
靜電放電抗擾度 靜電放電 靜電
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角多路技術(shù)在準(zhǔn)分子激光放大器中的應(yīng)用
對(duì)于準(zhǔn)分子激光放大器，由于激活介質(zhì)的上能態(tài)儲(chǔ)能時(shí)間很短，必須連續(xù)補(bǔ)充瞬態(tài)儲(chǔ)能(Em)才能獲得高能輸出，即E=EmT/t，其中T是增益時(shí)間，t是增益恢復(fù)時(shí)間。對(duì)于電子束泵浦的準(zhǔn)分子激光放大器，增益時(shí)間可以長達(dá)200ns，T/t≈100，這意味著對(duì)于單個(gè)要放大的短脈沖，只能提取出很小一部分能量。為了持續(xù)提...
2011-12-22
激光放大器 增益時(shí)間 編碼
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FPGA測(cè)試方案隨需而變
隨著FPGA技術(shù)的發(fā)展，大容量、高速率和低功耗已經(jīng)成為FPGA的發(fā)展重點(diǎn)，也對(duì)FPGA測(cè)試提出了新的需求。本文根據(jù)FPGA的發(fā)展趨勢(shì)，討論了FPGA測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)，并提出了基于測(cè)試儀表的FPGA測(cè)試方案。
2011-12-22
FPGA 低功耗 RTO
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判別端子晶體管測(cè)試儀
由于晶體管的基-集電極反偏擊穿電壓各不相同，因此電路提供了一種改變電源電壓的簡單方式（圖3）。隨著電壓的升高，與發(fā)射極連接的兩只LED都發(fā)光，而集電極只有一個(gè)LED發(fā)光（圖2中b和d）?！?V的基本電壓足夠用于檢測(cè)晶體管的基極或類型。如將電源電壓從±4V增至±15V，就可以測(cè)試很多種晶體管的發(fā)射極...
2011-12-22
晶體管測(cè)試儀 發(fā)射極 集電極
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