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低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。
2022-01-19
低邊開關導 Gate-Source
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橋式電路的開關產(chǎn)生的電流和電壓
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
2022-01-19
橋式電路 開關
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SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
LS（低邊）側SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的柵極驅動電路的寄生分量在內(nèi)的等效電路基礎上進行考量。
2022-01-17
SiC MOSFET 柵極驅動電路
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基于LM5036的半橋DC／DC電源非恒定電流限制
同時，LM5306在過流保護時可以進入打嗝模式。其周期可由RES引腳上的外接電容進行配置。除了傳統(tǒng)的過流打嗝模式，LM5036還支持倒灌電流的嗝模式保護 。當?shù)构嚯娏鞣磸统霈F(xiàn)時，LM5036也可進入打嗝模式。打嗝重啟電容器處設置15μA電流源。
2022-01-17
LM5036 半橋DC／DC電源 非恒定電流限制
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瑞能半導體全球運營中心正式啟動
中國上海 - 2022年1月14日 — 1月10日，“瑞征程 聚能量 2022WeEn蓄力·騰飛”瑞能半導體全球運營中心啟動儀式在上海隆重舉行，這不僅是瑞能半導體新形象的最好展示，也視作瑞能半導體作為“半導體芯勢力”，在2022年實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展的全新起點。此番，在全球運營中心啟動儀式上，瑞能半導體的代理商、供應...
2022-01-14
瑞能半導體 運營中心
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使用集成雙向電流檢測放大器實現(xiàn)有效的電流監(jiān)控
越來越多的應用需要快速準確地進行電流監(jiān)控，包括自動駕駛汽車、工廠自動化和機器人技術、通信、服務器電源管理、D 類音頻放大器和醫(yī)療系統(tǒng)。在許多這樣的應用中，都要求進行雙向電流檢測，而且需要以很小的成本有效地實現(xiàn)這一a目的。
2022-01-14
雙向電流檢測放大器 電流監(jiān)控
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一款可替代無源LC濾波器的高頻有源抗混淆濾波器
高頻(1MHz或更高)有源低通濾波器目前已經(jīng)成為無源LC濾波器的一種切實可行的替代方案，這是由于非常高帶寬(100MHz或更高)的集成放大器出現(xiàn)。帶寬處于兆赫茲頻段的模擬信號濾波應用可借助一個采用電阻器、電容器和一個400MHz運算放大器(如LT1819)或者一個全集成低通濾波器(如LT6600-10)的分立有源濾波...
2022-01-14
有源抗混淆濾波器
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采用嶄新結構的升壓充電泵，想了解一下嗎？
充電泵(無電感)DC/DC轉換器在對空間有限制的應用中頗受歡迎，它一定需要低到中負載電流供電。這種轉換器采用了小型封裝，靜態(tài)工作電流很低，且需要最少的外部元件。但是，噪音的產(chǎn)生是許多充電泵的一個不太理想的特征。
2022-01-12
升壓充電泵
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貿(mào)澤電子與Hartland Controls簽訂全球分銷協(xié)議
專注于引入新品的全球電子元器件授權分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Hartland Controls簽訂全球分銷協(xié)議。Hartland Controls是Littelfuse旗下一家面向暖通空調(diào)和其他工業(yè)應用的元器件供應商。簽訂協(xié)議后，貿(mào)澤將為客戶提供一系列電機運行電容器、專用接觸器、變壓器和其他電氣控制解決...
2022-01-12
貿(mào)澤電子 Hartland Controls
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