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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術如何提高器件性能和壽命
由于碳化硅（SiC）器件的低導通損耗和低動態(tài)損耗，英飛凌CoolSiC? MOSFET越來越多地被用于光伏、快速電動車充電基礎設施、儲能系統(tǒng)和電機驅動等工業(yè)應用。但與此同時，工程師也面臨著獨特的設計挑戰(zhàn)。實現(xiàn)更小的外形尺寸，同時保持功率變換系統(tǒng)的散熱性能，是相互矛盾的挑戰(zhàn)，但英飛凌創(chuàng)新的.XT技術與SiC技術提供了一個解決方案。
2022-09-27
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關斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導通行為的影響
本文探討了關斷時發(fā)生的柵極電壓欠沖對導通開關特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應，指柵偏壓變化時，閾值電壓的完全可恢復瞬態(tài)偏移。閾值電壓的遲滯效應是由半導體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關斷時的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關特性產(chǎn)生影響。
2022-09-20
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如何加強對Type-C數(shù)據(jù)線的充電保護？
USB Type-C（USB-C）電纜和連接器規(guī)范極大地簡化了實現(xiàn)互連和為數(shù)碼相機和超薄平板電腦等電子產(chǎn)品供電的方式（圖1）。該規(guī)范支持高達15W的USB-C充電應用，而USB-C功率傳輸（PD）將充電能力擴展至100W，包括各種可互換充電的設備。USB Type-C在系統(tǒng)保護方面帶來了新的挑戰(zhàn)。新連接器的間距比USB Micro-B小，增加了VBUS發(fā)生機械短路的風險。此外，由于USB PD具有高電壓，需要更強大的保護。最后，電子負載越來越復雜，需要加強ESD和電壓浪涌保護。此設計解決方案首先探討了USB Type-C PD架構以及與D+/D-數(shù)據(jù)信號保護相關的挑戰(zhàn)，然后提出了一種高度集成的2xSPDT開關，只需較少的BOM和PCB占用空間，就能夠攻克這些挑戰(zhàn)。
2022-09-19
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加速工業(yè)自動化升級，貿(mào)澤電子2022技術創(chuàng)新周第二期活動來襲
2022年9月16日 – 專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布于9月19 - 22日舉辦貿(mào)澤電子技術創(chuàng)新周第二期專題活動。本期內容將重點聚焦工業(yè)自動化，特邀來自Analog Devices, Amphenol, Phoenix Contact, Silicon Labs, TDK (Shanghai) Electronics, Texas Instruments等國際知名廠商的資深技術專家，并攜手哈爾濱工業(yè)大學電磁驅動與控制研究所副所長，寧波市智能制造技術研究院副院長在每天下午14:00-15:10和15:10-16:10兩個時間段，為大家?guī)砉I(yè)自動化的前沿應用與方案，展望工業(yè)自動化未來發(fā)展趨勢。
2022-09-16
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Molex與貿(mào)澤聯(lián)手推出射頻連接器內容中心，介紹射頻連接器在智能農(nóng)業(yè)等領域中的應用
2022年9月15日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Molex合作推出新的內容中心，深入探索射頻連接器的功能、挑戰(zhàn)和變革潛力。此內容中心提供十多項關于射頻技術的豐富資源，包括播客節(jié)目、白皮書、博客文章和產(chǎn)品指南等。每項內容都直接鏈接到貿(mào)澤網(wǎng)站上的Molex產(chǎn)品頁面，讓用戶輕松找到其設計所需的工具。
2022-09-15
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了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的挑戰(zhàn)
了解為當今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的關鍵挑戰(zhàn)，是設計一個滿足每位設計工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系統(tǒng)方案的關鍵要素。電源系統(tǒng)設計人員需要知道不同應用中的電源方案有何不同，比方說，一個800萬像素（MP）的相機與一個5000萬像素的相機的電源方案有何不同，或幀率的不同（30 fps、60 fps、120 fps）如何改變他們的電源設計，多大頻率需要高電源抑制比(PSRR)，等等。本文意在強調在為當今任何圖像傳感器確定供電方案之前的基本考量。
2022-09-15
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GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8 W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號電平、熱效應和環(huán)境條件之間存在復雜的依賴關系。這些因素往往給準確預測器件大信號性能造成更多困難。
2022-09-15
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貿(mào)澤贊助Silicon Labs主辦的Works With 2022年開發(fā)者大會
2022年9月14日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布成為Silicon Labs Works With 2022年線上會議的鉆石贊助商。Works With是一場以互聯(lián)設備開發(fā)為主題的免費網(wǎng)絡活動，將于9月13日至15日舉行。欲了解更多信息并免費注冊，請訪問Works With 2022官方頁面：https://workswith.silabs.com/。
2022-09-14
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深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開關特性的關鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關性能。
2022-09-13
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瑞能半導體以效率優(yōu)勢探索，憑新一代碳化硅MOSFET定義性能新高度
2022年9月6日，瑞能半導體CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大舉辦的第九屆中國國際半導體高管峰會（以下簡稱：CISES）。在CISES上，Markus Mosen先生發(fā)表了《新一代碳化硅MOSFET，正在打造更加綠色的未來》的主題演講，聚焦在“雙碳”背景的驅動下，碳化硅產(chǎn)業(yè)充滿的機遇和前景，重點結合了最新推出的1700V SiC MOSFET產(chǎn)品的效率優(yōu)勢，詳解了瑞能半導體在應用領域的建樹。
2022-09-08
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通過仿真分析ZVS工作原理
零電壓開關（Zero Voltage Switch）振蕩電路是功率開關管在導通和關斷（模式切換時）兩端電壓為0（實際上應該是非常接近于0）的電路，這種特性使得電路功率損耗變小，所以被廣泛 應用到大功率加熱、高壓電路中。比如在一些LLC 電源， 電磁爐驅動電路中。本文基于 LTspice 仿真，分析了 ZVS 振蕩器的工作原理以及相關的參數(shù)設計。
2022-09-08
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帶有集成式背磁體、先進全同步數(shù)字IC和EMC保護的真正通電狀態(tài)凸輪軸傳感器
之前我們介紹過Allegro 針對完全和輕度混合動力發(fā)動機應用的巨磁阻（GMR）曲軸傳感器ATS16951，和這款曲軸傳感器完美配套的凸輪軸傳感器是Allegro 帶有集成式背磁體（back-biasing magnet）、先進全同步數(shù)字IC和EMC保護的ATS16351。這兩款產(chǎn)品能夠絕佳配合，幫助設計人員實現(xiàn)優(yōu)化的發(fā)動機設計，減少供應商數(shù)量，降低系統(tǒng)復雜性。
2022-09-07
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